双入线封装,DRAM的一种元件封装情势。指采用双列直插情势封装的集成电路、模块电源,绝大多数中小规模集成电路、模块电源均采用这种封装情势,其引脚数一样平常不超过100。DIP封装结构情势有:多层陶瓷双列直插式DIP,单层陶瓷双列直插式DIP,引线框架式DIP、塑料包封结构式,陶瓷低熔玻璃封装式等。
封装体例可分为软封装和硬封装,软封装首要依据运用要求直接制作成模块,而硬封装则是封装成自力的芯片。如今封装重要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种,下面简单介绍下电子元器件常用的5种封装方法与封装知识。
统统引线(内引线及外引线)都存在必定的自感,其电感值的巨细首要取决于线的长度和封装类型,在当代封装工艺中其典型值约为2~20nH。由于电源线与地线是电路中的共用连线,在典型的混合旌旗灯号lC中,由于连线自感所发作的噪声对电路的影响首要表现地电源线与地线上,即所谓的电源和地的电压反射或噪声。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列办法散布在封装下面,BGA技能的上风是I/O引脚数尽管添加了,但引脚间距并没有减小反而添加了,然后提高了拼装制品率。尽管它的功耗添加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,然后能够改善它的电热功能。厚度和质量都较曾经的封装技能有所减少,寄生参数减小,旌旗灯号传输推迟小,运用频率大人提高,组装可用共面焊接,可靠性高。
形状呈正方形,周围都有引脚,形状尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装合适用SMD外表装配技能在PCB上装配布线,具有形状尺寸小、可靠性高的上风。
封装的寄生参数首要包含有:自感(内引线和外引线),外引线对地电容,外引线之间的互感以及外引线之间的电容等。
内引线和外引线上的瓦感会把一些噪声耦合到灵敏旌旗灯号中,然后对旌旗灯号发作影响,关于模拟电源和模拟输入都易受数字电源的噪声或时钟线的跳变等影响,此时有需要对焊盘结构和位置进行认真的规划,以减小互感的影响。减小互感的办法首要有两种,一是使引线衔接时相互笔直,二是在灵敏旌旗灯号的内引线之间刺进相对安稳的地线或电源线。当然关于多个并联线,也可规划成被地线围困,以减小互感效应,以至于忽略不计。
选用片上电容办法来解决自感的影响时,要细致片上电容的伉的遴选,应避免与封装电感发作频率为芯片作业频率的谐振(可经过规划几个电阻与该电容串联来破坏谐振)。在CMOS工艺中一样平常由MOS管构成该电容器,这要求晶体管很大,因而大大增大了芯片面积。与衬底内连线也表现出自感。
BGA与TSOP比较,具有更小的体积,更好的散热功能和电功能。BGA封装技能使每平方英寸1的存储量有了很大进步,选用BGA封装技能的内存产品在雷同容量下,体积只有TSOP封装的三分之一。与传统TSOP封装办法比较,BGA封装方法有愈加快速和有效的散热途径。芯片封装后,关于芯片的引线能够简略再分为电源线(包含参阅旌旗灯号线)、地线(包含衬底衔接线)、旌旗灯号输入输出线。
(4)芯片面积与封装面积之间的比值较小。Intel系列CPU中80286、80386和某些486土板中的芯片就是选用这种封装。
SOP封装技能由1968-1969年菲利浦公司开发成功,往后渐渐派生出SOJ(J型引脚小形状封装)、TSOP(薄小外型封装)、VSOP(其小外开封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外型晶体管)、SOIC(小外型集成电路)等。SOP封装的应用规模很广,主板的频率发作器芯片就是选用SOP封装。
统统这些引线及其内引线都会产牛寄生效应,而这些寄生效应关于电路功能的影响,分外是在高速高精度的电路,封装的寄生效应的影响愈加凸起。在进行此类电路规划时有需要考虑封装的寄生效应的影响,在进行电路仿真时就需求包含一个合理的电路封装模型,同时在电路规划和地图规划时有需要采纳很多预防措施来减小封装寄生参数的影响。
在当代的封装中,一样平常选用将管芯经过导电树脂直接固定在接地金属层上,并与几个接地的封装引脚相连,以充沛减小衬底的噪声,消弭衬底连线的自感。输入旌旗灯号偶然也会遭到引线自感的影响,首要表现在对旌旗灯号高频成分的衰减上,也会体现在瞬态波形中会发作紧张的阻尼振荡,然后影响旌旗灯号的安稳。
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