新闻|*大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心黄如院士-杨玉超教授团队在分布式多智能体自组织演化计算研究中取得重要进展
日,“Mini/Micro-LED及其他新型显示技术分会”如期举行,本届分会得到了三安光电股份有限公司、纳微朗科技(深圳)有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、*晶科电子股份有限公司、深圳市大族半导体装备科技有限公司的协办支持。
会上,*大学教授陈志忠带来了“利用沟槽结构生长高效率InGaN红光”的主题报告,分享了沟槽结构的调制与高In含量InGaN的生长、沟槽结构对MQW发光的影响、沟槽的微观结构与发射特性等研究进展与成果。
新科技时代背景下,随着不同应用的变革升级以及新兴领域的拓展,需求将继续增长。第三代半导体将迎来更广阔的发展前景,将开启新的发展周期,变化可期。与此同时,“双碳”背景下,产业结构将面临深刻的低碳转型挑战,能源技术将会引领能源产业变革,实现创新驱动发展。人工智能等新技术的快速使用,将使半导体行业朝着高性能、低功耗的目标发展,从而带动更多应用领域的更新换代和产业升级。
GaN功率器件技术在多个领域都具有广泛的应用前景,可以提高系统效率、减小体积,并推动电力电子技术的发展,GaN功率器件的成本与可靠性问题备受关注。英诺赛科欧洲总经理DenisMARCON在报告中指出通过利用规模经济,8英寸高通量制造晶圆厂完全致力于生产硅晶片上的8英寸GaN,可以提供具有价格竞争力的GaN功率器件。
国家半导体照明工程启动二十年来取得了巨大的成就,并收获了诸多的经验。国际半导体照明联盟主席、全国政协教科卫体委员会原副主任曹健林报告中表示,半导体照明是第三代半导体第一个成功的突破口,未来将进一步满足光电子、微波射频和高效功率电子等新需求的快速发展,在全球信息化发展及可持续电气化转型中发挥着至关重要的作用。
氮化镓(GaN)集成技术有助于提高电子器件的性能、降低系统成本、减小尺寸,并增强系统的可靠性。*科技大学教授陈敬报告中表示,GaNHEMT功率器件的平面特性为各种应用提供了丰富的机会。GaN电力电子电源集成、可靠性问题至关重要,必须加以解决。
大会主席、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任、中国工程院原副院长干勇院士表示,半导体、新材料、工艺和装备核心产业环节系统研发创新是建立半导体产业核心竞争力的必要途径。未来应该进一步通过推动建设多样化的、动态的、矩阵式的创新联合体的生态群,实现强链、强延、强基。半导体产业的全球化属性不可改变,创新对于半导体行业尤为重要,要坚持加强全球产业链、供应链的协作。
国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲致辞时表示,以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料处于黄金赛道。在国家科技计划的连续支持下,我国第三代半导体有了长足的发展,但仍面临一定的挑战,产业健康发展还需要我们共同努力。半导体行业是全球一体化程度最高的行业之一,产业健康发展需要世界以建设性态度加强合作,共同推动全球科技领域的合作和进步。
工业革命伴随着能源革命,绿色低碳智能世界加速到来。构建以新能源为主体的新型电力系统,功率器件是核心之一。华为数字能源技术有限公司CTO黄伯宁表示,SiC为代表的化合物功率器件与绿色能源产业需求高度共振。GridForming构网技术是解决新型电力系统稳定性的关键路径。
年11月28日,第九届国际第三代半导体*&第二十届中国国际半导体照明*在厦门国际会议中心盛大召开。
半导体是厦门科技创新和产业发展的重点方向,已经形成良好的产业发展基础。福建**、厦门**崔永辉表示,厦门将依托科技创新引领工程、先进制造业倍增计划等重点战略举措,全力推动厦门半导体产业进一步提档升级,提质增效,取得更大突破。也欢迎业界同仁深度考察,帮助厦门半导体和集成电路产业发展出谋划策,推动厦门为全球第三代半导体产业发展做出更大的贡献。
作为第三代半导体第一个成熟的应用窗口,半导体照明历经二十多年的发展取得了历史性的成就。如今第三代半导体发展进入新的阶段,高性能计算、量子技术、能源转换、光电子学和生物医学等领域不断创新和技术挑战将继续推动第三代半导体技术研究和应用的进展,未来展充满着巨大的想象空间和新的可能性。
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